ICS31.030 L90 中华人民共和国国家标准 GB/T14620—2013 代替GB/T14620—1993 薄 膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 Aluminaceramicsubstratesforthinfilmintegratedcircuits 2013-11-12发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14620—1993《薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T14620—1993相比, 主要变化如下: ———增加了术语和产品标识(见第3章和第4章); ———增加了对标称氧化铝含量不能小于实际含量的要求(见4.3); ———细化了划线前后可能对基片外形尺寸造成影响的指标(见5.2.2); ———增加了对基片直线度的要求(见表2); ———区分烧结和抛光基片(见表1和表5); ———对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由中国电子技术标准化研究院归口。 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人:曹易、李晓英。 本标准所代替标准的历次版本发布情况: ———GB/T14620—1993。 ⅠGB/T14620—2013 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 1 范围 本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和 贮存。 本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称“基片”)的生产和采购,采用薄膜工艺的 片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1958 产品几何量技术规范(GPS) 形状和位置公差 检测规定 GB/T2413 压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查) GB/T5593 电子元器件结构陶瓷材料 GB/T5594.3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法 GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法 GB/T5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法 GB/T5594.7 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 透液性测试方法 GB/T5598 氧化铍瓷导热系数测定方法 GB/T6062 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 接触(触针)式仪器的标称特性 GB/T6900 铝硅系耐火材料化学分析方法 GB/T9531.1 电子陶瓷零件技术条件 GB/T14619—2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T16534—2009 精细陶瓷室温硬度试验方法 GJB548B—2005 微电子器件试验方法和程序 GJB1201.1—1991 固体材料高温热扩散率测试方法 激光脉冲法 3 术语和定义 GB/T14619—2013界定的术语和定义适用于本文件。 4 标识及代号 4.1 通则 基片用五组带下划线的符号(字母或数字)标识,各组数字之间用短横线隔开,标识示例如下: 1GB/T14620—2013 A 基片材质代号(见4.2)996 - 基片氧化铝含量(见4.3)020 - 基片标称厚度(见4.4)Ⅲ - 基片外形尺寸公差范围(见4.5)15 基片表面粗糙度(见4.6) 注:如供需双方商定产品允许偏差不属于表2规定的级,可用“X”标识。 4.2 基片材质 氧化铝制基片用字母“A”表示。 4.3 氧化铝含量 基片的标称氧化铝含量用3位数表示。第一个数字表示十位,第二个数字表示个位,第三位表示小 数点后第一位。如小数点后第一位数值为零,可省略。例如,996表示基片的标称氧化铝质量分数为 99.6%(见表5)。标识中的氧化铝含量不应低于实际含量值。 4.4 基片标称厚度 基片标称厚度用3位数表示,第一个数字表示毫米,第二个数字表示十分之一毫米,第三个数字表 示百分之一毫米。例如,020表示基片的标称厚度为0.20mm(见表1)。 4.5 基片外形尺寸公差范围 基片外形尺寸的公差范围用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示(见表2)。 4.6 基片表面粗糙度 基片表面粗糙度指基片上将要印制或沉积膜无源元件的一个工作表面的粗糙度。粗糙度用2位数 表示,第一个数字表示十分之一微米,第二个数字表示百分之一微米。例如,15表示基片的表面粗糙 度Ra为0.15μm。如对基片的两个表面的表面质量都有要求,则基片标识由供需双方商定。 5 要求 5.1 外观 除非另有规定,基片应是白色质密的固体。外观应符合表1的规定。 表1 外观 项目 典型示例 烧结态 抛光或覆釉 测试方法章条号 裂纹a 不允许存在 不允许存在 6.5.8 2GB/T14620—2013 表1(续) 项目 典型示例 烧结态 抛光或覆釉 测试方法章条号 瓷疱 不允许存在 不允许存在 凸脊 不允许存在 不允许存在 毛刺 低于0.01mm 直径小于0.2mm (允许1个/cm2)不允许存在 划痕 浅于0.01mm 长度小于6mm (允许1个/cm2)不允许存在 缺损 伸入工作表面深度(w)应 小于0.2mm; 缺损深度应小于基片厚 度一半(允许1个/cm2)伸入工作表面深度 (w)应小于0.2mm 凹坑 凹坑直径应小于0.254mm 不允许存在 针孔 不允许存在 斑点 不允许存在6.5.8 a激光划片后,允许分切片存在不大于0.127mm且不影响电路的裂纹。 5.2 结构尺寸和偏差 5.2.1 基片标称厚度和外形尺寸的公差范围 基片的标称厚度应符合表2的规定。除非另有规定,基片外形尺寸的允许公差应符合表2的要求。 3GB/T14620—2013 表2 基片标称厚度和外形尺寸的公差范围 项目 标称尺寸允许公差a Ⅰ级 Ⅱ级 Ⅲ级测试方法章条号 长度、宽度 ≤120mm±0.5% (但不小于 ±0.08mm)±0.8% (但不小于 ±0.10mm)±1% (但不小于 ±0.10mm)6.5.1 厚度 0.1mm~1.0mm±6% (但不小于 ±0.05mm)±8% (但不小于 ±0.05mm)±10% (但不小于 ±0.05mm)6.5.2 翘曲度 (长度方向)— 0.05/25 0.08/25 0.1/25 6.5.3 垂直度(基片) —长度的0.3% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.4% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.5% (但不小于 ±0.1mm) 平行度(基片) —长度的0.3% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.4% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.5% (但不小于 ±0.1mm) 直线度 — 长度的0.4% 长度的0.5% 长度的0.5%6.5.4 a如产品允许公差由供需双方商定,可用“X”表示其偏差级别。 5.2.2 孔及其公差 5.2.2.1 孔径及公差范围 除非另有规定,基片上孔的直径以及公差应符合表3的规定。 表3 基片上孔的直径及公差范围 孔径范围r mm允许公差 mm测试方法章条号 r≤0.73 ±0.051 0.73<r<2.5 ±0.0806.5.5 5.2.2.2 孔的位置及间距 除另有规定,孔边缘与基片边缘的间距不应小于基片厚度的1.2倍。孔与孔间隔不应小于相邻孔 最大直径的2倍。 5.2.3 划线偏差范围 除非另有规定,基片划线后偏差应符合表4的规定。 4GB/T14620—2013 表4 划线偏差范围 项 目 允许公差 测试方法章条号 基片掰开前的划线偏差边缘与第一条划线间的尺寸+0.2mm -0.05mm 划线线条的间距 ±0.05mm6.5.6 基片掰开后两对应的分切片间的偏差+0.4mm -0.05mm6.5.7 垂直度(分切片) 长度的0.1% 6.5.4 平行度(分切片) 长度的0.1% 6.5.4 5.3 性能 除非另有规定,基片的各项性能应符合表5的规定。 表5 性能 项 目 测试条件 指标值 测试方法章条号 基片氧化铝含量(质量分数)a — ≥99% 6.5.9 物理性能 表面粗糙度Ra— ≤0.15μm(烧结态) — ≤0.05μm(抛光态)6.5.10 体积密度 — ≥3.9g/cm36.5.11 硬度(维氏) 负荷4.9N ≥16.2GPa 6.5.12 透液性 — 通过 6.5.13 抗折强度 — ≥300MPa 6.5.14 热性能 线膨胀系数 (1×10-6℃-1)200℃ 6.2~7.2 500℃ 6.5~7.5 800℃ 6.5~8.26.5.15 导热率 25℃ ≥27W/(m·K) 6.5.16 抗热震性 ≥10次 无裂纹 6.5.17 电性能 体积电阻率25℃ ≥1014Ω·cm 300℃ ≥1011Ω·cm 600℃ ≥109Ω·cm6.5.18 击穿强度 D.C. ≥18kV/mm 6.5.19 介电常数b1MHz 9~10.5 损耗正切值 1MHz ≤0.00026.5.20 a标称含量不应低于其实际含量值。 b基片介电常数的偏差应在其标称值的±0.2%之内或由合同等文件具体规定。 5GB/T14620—2013 6 质量评定程序 6.1 检验分类 本标准规定的检验分类如下: a) 鉴定检验(6.3