ICS17.100 N05 中华人民共和国国家标准 GB/T28856—2012 硅 压阻式压力敏感芯片 Siliconpiezoresistivepressure-sensitivechip 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语与定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 分类 1 ……………………………………………………………………………………………………… 4.1 电隔离类型 1 ………………………………………………………………………………………… 4.2 敏感芯片参考感压腔类型 2 ………………………………………………………………………… 5 基本参数 2 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 测量范围 2 …………………………………………………………………………………………… 5.2 工作介质 2 …………………………………………………………………………………………… 5.3 工作温度范围 2 ……………………………………………………………………………………… 5.4 激励电源 2 …………………………………………………………………………………………… 6 要求 2 ……………………………………………………………………………………………………… 6.1 总则 2 ………………………………………………………………………………………………… 6.2 基本性能要求 2 ……………………………………………………………………………………… 7 试验方法 5 ………………………………………………………………………………………………… 7.1 环境条件 5 …………………………………………………………………………………………… 7.2 电气连接及外观 5 …………………………………………………………………………………… 7.3 敏感电阻 6 …………………………………………………………………………………………… 7.4 漏电流 6 ……………………………………………………………………………………………… 7.5 击穿电压 6 …………………………………………………………………………………………… 7.6 隔离电压 7 …………………………………………………………………………………………… 7.7 零点失调电压 7 ……………………………………………………………………………………… 7.8 常压失调电压 7 ……………………………………………………………………………………… 7.9 静态性能 7 …………………………………………………………………………………………… 7.10 稳定性 8 ……………………………………………………………………………………………… 8 检验规则 8 ………………………………………………………………………………………………… 8.1 检验分类 8 …………………………………………………………………………………………… 8.2 出厂检验 8 …………………………………………………………………………………………… 8.3 型式检验 9 …………………………………………………………………………………………… 9 标志、包装、运输及贮存 10 ………………………………………………………………………………… 9.1 标志 10 ………………………………………………………………………………………………… 9.2 包装 10 ………………………………………………………………………………………………… 9.3 运输 10 ………………………………………………………………………………………………… 9.4 贮存 10 ………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T28856—2012 附录A(规范性附录) 传感器性能指标的计算方法 11 …………………………………………………… A.1 实际校准特性 11 …………………………………………………………………………………… A.2 最小二乘法直线方程 11 …………………………………………………………………………… A.3 满量程输出(YFS) 12 ………………………………………………………………………………… A.4 非线性(ξL) 12 ……………………………………………………………………………………… A.5 迟滞(ξH) 12 ………………………………………………………………………………………… A.6 重复性(ξR) 12 ……………………………………………………………………………………… A.7 准确度(ξ) 13 ………………………………………………………………………………………… A.8 零点漂移(dz) 13 …………………………………………………………………………………… A.9 热零点漂移(α) 14 …………………………………………………………………………………… A.10 热满量程输出漂移(β) 14 ………………………………………………………………………… ⅡGB/T28856—2012 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由中国机械工业联合会归口。 本标准起草单位:沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督 检验中心、昆山双桥传感器测控技术有限公司、大连理工大学、中国电子科技集团公司第四十九研究所、 北京鑫诺金传感技术有限公司、北京瑞普恩德斯豪斯仪表有限公司、南京沃天科技有限公司、中国仪器 仪表协会传感器分会、中国仪器仪表学会仪表元件分会。 本标准主要起草人:唐慧、刘沁、徐秋玲、于振毅、张治国、徐淑霞、殷波、王冰、陈信琦、黄正兴、 王文襄、郭宏、宁宁、李延夫、高峰。 ⅢGB/T28856—2012 硅压阻式压力敏感芯片 1 范围 本标准规定了硅压阻式压力敏感芯片(以下简称敏感芯片)术语和定义、分类、基本参数、要求、试验 方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于硅压阻式压力敏感芯片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T191—2008 包装储运图示标志 GB/T2829—2002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验) GB/T7665—2005 传感器通用术语 3 术语与定义 GB/T7665—2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 硅压阻式压力敏感芯片 siliconpiezoresistivepressure-sensitivechip 利用硅材料的压阻效应,将压力变化转换成电阻变化的压力敏感芯片。 3.2 绝缘介质隔离 dielectricisolation 用绝缘层(如氧化物)围绕着单片半导体敏感芯片中的元件,使该芯片中的一个或多个元件之间形 成电的隔离。(元件包含弹性膜片) 3.3 多余物 foreignmaterial 用压力为80kPa~100kPa细小气流吹不掉的异物。 3.4 钝化层 passivationlayer 直接在芯片表面上生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料。 4 分类 4.1 电隔离类型 按电隔离类型分为: ———P-N结隔离; ———绝缘介质隔离。 1GB/T28856—2012 4.2 敏感芯片参考感压腔类型 按敏感芯片参考感压腔类型分为: ———开放式参考感压腔敏感芯片; ———密闭式参考感压腔敏感芯片。 5 基本参数 5.1 测量范围 除另有规定外,敏感芯片测量范围宜从下列数系中选取: 0,±1.0×10n,±1.6×10n,±2.0×10n,±2.5×10n,±3.0×10n,±4.0×10n,±5.0×10n,±6.0× 10n,±8.0×10n。 其中n为整数,n=0,±1,±2,±3…。 量程的单位为:Pa(kPa、MPa、GPa)。 5.2 工作介质 敏感芯片的工作介质应为非导电性、无腐蚀性气体或液体。 5.3 工作温度范围 除另有规定外,推荐工作温度范围的下限值为:-90℃,-80℃,-70℃,-60℃,-55℃,-45℃, -40℃,-30℃,-20℃,-10℃,0℃。 除另有规定外,推荐工作温度范围的上限值为:50℃,60℃,70℃,85℃,100℃,125℃,150℃, 175℃,200℃,300℃,350℃,400℃,450℃,500℃,550℃。 5.4 激励电源 5.4.1 恒流激励 敏感芯片采用恒流激励时,直流激励电流的数值不宜大于2mA。 5.4.2 恒压激励 敏感芯片采用恒压激励时,直流激励电压宜从下列数值中选取:3VDC,5VDC,6VDC,9VDC, 10VDC,12VDC,15VDC,18VDC,24VDC,36VDC。 6