ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29506—2013 300mm硅 单晶抛光片 300mmpolishedmonocrystallinesiliconwafers 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 ⅠGB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 1 范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm规格的硅单晶抛光片 的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 1GB/T29506—2013 4 要求 4.1 物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求。 4.2 几何参数及表面要求 硅抛光片的几何参数应符合表1的要求。硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格,由供需双方 协商解决。 表1 300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项 目 指 标 硅片厚度(中心点)/μm 775 厚度允许偏差/μm ±20 总厚度变化/μm ≤ 1.5 翘曲度/μm ≤ 45 总平整度(TIR)/μm ≤ 1.0 局部平整度(SFQR)(25mm×25mm)/μm ≤ 0.10 局部光散射体LLSs (正表面)/(个/cm2)≥0.12μm < 80 ≥0.16μm < 40 ≥0.2μm < 15 表面金属含量/(原 子数/cm2)Cu/Cr/Fe/Ni ≤ 1.0×1010 Al/Zn/K/Na/Ca ≤ 5.0×1010 体金属(铁)含量/(原子数/cm3) ≤ 5.0×1010 4.3 晶体完整性 4.3.1 晶体完整性应符合GB/T29504的要求。 4.3.2 氧化诱生缺陷与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关,氧化诱生缺陷指标由供需双方协商 确定。 4.4 表面取向 硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合GB/T29508的要求。 4.5 基准标记 硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合GB/T29508的要求。 4.6 直径及直径允许公差 硅抛光片的直径及直径允许公差应符合GB/T29508的规定。 2GB/T29506—2013 4.7 表面质量 硅抛光片表面质量应符合表2的规定。 表2 抛光片表面质量目检要求 序号 项 目 最大缺陷限度 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12正 表 面划伤 无 蚀坑 无 雾 无 亮点/(个/片) 无 区域沾污 无 崩边 无 裂纹,鸦爪 无 凹坑 无 沟(槽) 无 小丘 无 桔皮,波纹 无 刀痕 无 13 14 15 16背 表 面崩边 无 裂纹,鸦爪 无 区域沾污 无 刀痕 无 4.8 边缘轮廓 硅片经边缘倒角及边缘抛光,抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T26的要求,特殊要求可由供需 双方协商确定。 5 试验方法 5.1 硅抛光片的导电类型测量按GB/T1550进行。 5.2 硅抛光片电阻率测量按GB/T6616进行。 5.3 硅抛光片径向电阻率变化的测量按GB/T11073进行。 5.4 硅抛光片间隙氧含量测量按GB/T1557进行。 5.5 硅抛光片代位碳含量测量按GB/T1558进行。 5.6 硅抛光片厚度、总厚度变化及总平整度测量按GB/T29507进行。 5.7 硅抛光片局部平整度测量按GB/T19922进行。 3GB/T29506—2013 5.8 硅抛光片翘曲度测量按SEMIMF1390进行。 5.9 硅抛光片局部光散射体测量按GB/T19921进行。 5.10 硅抛光片表面金属含量测量按GB/T24578进行,或按供需双方协商的方法进行。 5.11 硅抛光片体内金属(铁)含量测量按YS/T679进行。 5.12 硅抛光片的晶体完整性测量按GB/T1554进行。 5.13 硅抛光片氧化诱生缺陷检验按GB/T4058进行。 5.14 硅抛光片表面取向量按GB/T1555进行。 5.15 硅抛光片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。 5.16 硅抛光片切口尺寸测量按GB/T26067进行。 5.17 硅抛光片直径测量按GB/T14140进行。 5.18 硅抛光片表面质量检验按GB/T6624进行。 5.19 硅抛光片边缘轮廓测量按YS/T26进行。 6 检验规则 6.1 检查和验收 6.1.1 产品应由技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质量保 证书。 6.1.2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符 时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。 6.2 组批 硅抛光片以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅抛光片组成。 6.3 检验项目 6.3.1 每批抛光片抽检的项目有:直径、晶向及其偏离度、切口基准轴取向、切口尺寸、导电类型、电阻 率、径向电阻率变化、间隙氧含量、替位碳含量、硅抛光片厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度、目检表面 质量、氧化诱生缺陷、边缘轮廓。 6.3.2 局部平整度、局部光散射体尺寸及数量、表面金属沾污、体金属(铁)含量等项目由供需双方协商 后进行检验。 6.4 抽样 6.4.1 对于非破坏性检测项目,检测按GB/T2828.1一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方案,或由 供需双方协商确定的抽样方案进行。 6.4.2 对于破坏性检测项目,检测按GB/T2828.1特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案,或由供 需双方协商确定的抽样方案进行。 6.5 检验结果的判定 6.5.1 导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格。 6.5.2 其他检验项目可以按照6.4进行抽检,接收质量限(AQL)见表3。也可以对产品进行全数检 验,或按供需双方协商的方法进行。 4GB/T29506—2013 表3 硅抛光片检验项目及接收质量限 序号 检验项目 接收质量限(AQL) 1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 间隙氧含量 1.0 4 代位碳含量 1.0 5 厚度 1.0 6 总厚度变化 1.0 7 翘曲度 1.0 8 总平整度 1.0 9 局部平整度 1.0 10 局部光散射体尺寸及数量 2.5 11 表面金属含量 1.0 12 体金属(铁)含量 1.0 13 氧化诱生缺陷 2.5 14 切口基准轴取向 1.0 15 切口尺寸 1.0 16 直径 1.0 17 边缘轮廓 2.5 18表 面 质 量亮点 1.0 区域沾污 1.0 划伤 1.0 崩边、裂纹 累计1.0 沟槽、凹坑、小丘、桔皮、波纹等 累计1.0 刀痕 1.0 累计 2.5 7 标志、包装、运输和贮存 7.1 硅抛光片应在洁净间内装入专用的抛光片装运盒,外用洁净的塑料袋和防潮、防静电的铝箔袋依 次密封,双层包装。每个抛光片盒应贴有产品标签。标签内容应包括: a) 产品名称(牌号); b) 产品规格; c) 片数; d) 产品批号; e) 出厂日期。 7.2 经双层包装的片盒再装入一定规格的外包装箱,并采取防震、防潮措施。包装箱内应有装箱单,外 5GB/T29506—2013 侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识,并标明: a) 需方名称、地