ICS77.120.10 H61 中华人民共和国国家标准 GB/T29658—2013 电 子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 High-puritysputteringaluminiumandaluminium alloytargetusedinelectronicfilm 2013-09-06发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员(SAC/TC243)归口。 本标准负责起草单位:有研亿金新材料股份有限公司。 本标准参加起草单位:宁波江丰电子材料有限公司、新疆众和股份有限公司。 本标准主要起草人:万小勇、罗俊锋、廖赞、尚再艳、杨华、朱晓光、孙秀霖、何金江、熊晓东、王兴权、 王学泽、钱红兵、喻洁、刘杰、洪涛、努力古、宋玉萍。 ⅠGB/T29658—2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 1 范围 本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运 输、存贮、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶)。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标 准。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。 GB/T1804 一般公差 未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T6394 金属平均晶粒度测定方法 GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T15823 无损检测氦泄漏检测方法 GB/T20975.25 铝及铝合金化学分析方法 第25部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法 GJB1580A 变形金属超声检验方法 JB/T4734 铝制焊接容器 YS/T837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 YS/T871 高纯铝化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法 3 要求 3.1 产品分类 3.1.1 按照应用领域分为:半导体布线用高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高 纯溅射靶材和太阳能电池用高纯溅射靶材。 3.1.2 按照结构形式分为单体和焊接两种。 3.1.3 按外形分为圆形、矩形和三角形等。 3.2 合金成分与纯度 3.2.1 根据合金材料不同,可分为纯铝靶、铝硅合金靶、铝铜合金靶、铝硅铜合金靶四种靶材。 3.2.2 高纯铝合金靶中合金元素含量应不超过规定成分的±10%。 3.2.3 铝靶合金成分及杂质元素要求应符合表1规定。 表1 铝靶合金成分和对应的杂质元素 成分 Al AlSi AlCu AlSiCu Al或Al合金含量不小于 %99.9999.99999.999599.99599.99999.999599.99999.999599.99999.9995 简称 4N5N5N54N55N5N55N5N55N5N5 1GB/T29658—2013 表1(续) 成分 Al AlSi AlCu AlSiCu 金属杂质 含量不大 于10-6Ag — 1 0.3 — 1 0.3 1 0.3 1 0.3 As — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Au — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 B — 0.50.5 — 0.50.50.50.50.50.5 Ba — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Bi — 1 1 — 1 1 1 1 1 1 Be — 0.50.5 — 0.50.50.50.50.50.5 Ca — 1 0.2 — 1 0.2 1 0.2 1 0.2 Cd — — 1.0 — — 1.0 — 1.0 — 1.0 Ce — 1 1 — 1 1 1 1 1 1 Cl — 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Co — — 0.1 — — 0.1 — 0.1 — 0.1 Cr 5 2 0.4 2 2 0.4 2 0.4 2 0.4 Cs — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Cu 50 3 1 5 3 1 — — — — Fe 50 3 1 5 3 1 3 1 3 1 K — 0.50.1 — 0.50.10.50.10.50.1 La — — 0.5 — — 0.5 — 0.5 — 0.5 Li — 0.50.1 — 0.50.10.50.10.50.1 Mg 30 2 1 3 2 1 2 1 2 1 Mn 10 1 0.5 1 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Mo — 1 0.2 — 1 0.2 1 0.2 1 0.2 Na — 0.50.1 — 0.50.10.50.10.50.1 Ni 20 1 1 — 1 1 1 1 1 1 P — 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Pb — 1 0.3 — 1 0.3 1 0.3 1 0.3 Sb — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Si 30 5 2 — — — 5 2 — — Sn — 1 0.2 — 1 0.2 1 0.2 1 0.2 Ti 3 2 1 2 2 1 2 1 2 1 V — 1 0.4 — 1 0.4 1 0.4 1 0.4 Zn 5 1 0.5 1 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Zr — 1 0.5 — 1 0.5 1 0.5 1 0.5 U —0.020.001—0.020.0010.020.0010.020.001 Th —0.020.001—0.020.0010.020.0010.020.001 2GB/T29658—2013 表1(续) 成分 Al AlSi AlCu AlSiCu 杂质总含量不大于10-610010 5 50 10 5 10 5 10 5 气体元素 含量不大 于10-6C — 30 20 30 30 20 30 20 30 20 H — 1 0.5 1 1 0.5 1 0.5 1 0.5 N 10 10 5 10 10 5 10 5 10 5 O 30 30 20 30 30 20 30 20 30 20 S — 10 1 10 10 1 10 1 10 1 注1:需方对元素有特殊要求的,由供需双方协商,并在订货单(或合同)中注明。 注2:铝靶的纯度为100%减去要求杂质总和的余量(不含C、O、N、H、S)。 3.3 晶粒尺寸 铝靶的晶粒尺寸应符合表2规定,并且晶粒分布均匀。 表2 铝靶晶粒尺寸要求 合金成分纯度 %简称晶粒尺寸要求 平均值 μm最大值 μm Al99.99 4N ≤500 ≤1000 99.999 5N 99.9995 5N5≤300 ≤500 AlSi99.995 4N5 99.999 5N 99.9995 5N5 AlCu99.999 5N 99.9995 5N5 AlSiCu99.999 5N 99.9995 5N5≤150 ≤200 注:需方如有特殊要求时,由供需双方商定,并在订货单(或合同)中注明。 3.4 内部质量 铝靶内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷,由供方生产工艺保证。需方有特殊要求时按 GJB1580A执行。 3.5 焊接质量 铝靶的常规焊接方法为钎焊、扩散焊和电子束焊。钎焊、扩散焊质量应符合表3的规定,电子束焊 质量应符合表4的规定。需方如有特殊要求时,应由供需双方协商确定,并在订货单(或合同)中具体 注明。 3GB/T29658—2013 表3 焊接质量要求 焊接方式 焊接结合率 单个未焊合间隙面积占总面积比例 钎焊 ≥95% ≤2.5% 扩散焊 ≥98% ≤1% 表4 电子束焊接质量要求 检验方式 指标 氦检 漏率≤10-9Pa·m3/s 水检 0.4MPa水压下保持10min以上无泄漏 3.6 几何尺寸及允许偏差 铝靶尺寸及结构方式一般根据需方提供图纸确定,经供需双方协商确定并在订货单(或合同)中注 明后。如果需方图纸未提供允许偏差,则铝靶尺寸允许偏差应符合GB/T1804要求。 3.7 外观质量 铝靶表面应清洁光滑,无指痕、油污和锈蚀,无颗粒附加物和其他沾污,无凹坑、划伤、裂纹、凸起等 缺陷。 4 试验方法 4.1 化学成分分析方法 4.1.1 合金元素按照GB/T20975.25规定的方法进行检测。 4.1.2 金属杂质元素、P的分析方法按照YS/T871规定的方法进行检验。 4.1.3 气体元素H、O、N、C和S的分析方法按照GB/T14265执行。 4.2 晶粒尺寸检验 铝靶的晶粒尺寸检验按照GB/T6394执行。 4.3 内部质量检验 铝靶的内部质量的检验按GJB1580A执行。 4.4 焊合质量 4.4.1 钎焊、扩散焊按YS/T837的规定检验。 4.4.2 电子束焊质量氦泄漏检测方法按GB/T15823执行,水压检测按JB/T4734中的方法执行。 4.5 尺寸检测方法 产品外形尺寸及其允许偏差应用相应精度的测量工具进行测量。 4.6 外观质量检验方法 铝靶外观质量采用目视检查,如发现异常现象,用放大镜或数码显微镜进行鉴别。 4GB/T29658—2013 5 检验规则 5.1 检查和验收 5.1.1 铝靶应由供方进行检测,保证产品质量符合本规范或订货单(合同)的规定,并填写质量证明书。 5.1.2 需方应对收到的铝靶按本标准的规定进行复验。如复验结果与本标准(或订货合同)的规定不 符时,应在收到产品之日起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决。如需仲裁,仲裁取样应由供需 双方共同进行。 5.2 组批 产品应成